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岡安 悟; 西尾 太一郎*; 小野 正雄; 真下 茂; 田中 康資*; 伊豫 彰*
Physica C, 437-438, p.239 - 241, 2006/05
被引用回数:3 パーセンタイル:17.99(Physics, Applied)タリウム系超伝導体Tl-1223薄膜の磁束量子ピン止め特性を調べた。磁束量子の超伝導体表面の様子を走査型SQUID顕微鏡で直接観測した。ピン止め特性の比較のため未照射試料と高エネルギー金イオン照射を行い、ピン止め中心に円柱状欠陥を試料に導入したものを用いた。ピン止め力の強い試料のため、もともと存在するピン止め中心(転移や欠陥など)の方が円柱状欠陥よりも高温でのピン止めに効いていることが明らかになった。